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CVD化学气相沉积装置

  • 更新时间:  2024-04-25
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  • 简单描述
  • CVD化学气相沉积装置由升华室、反应室、气路系统、和真空系统组成,采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;内置多个温区,可以营造不同的温度梯度。用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等。
详细介绍

    CVD化学气相沉积装置由升华室、反应室、气路系统、和真空系统组成,采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;内置多个温区,可以营造不同的温度梯度。用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火等。

1、升华室主要包括有不锈钢容器,不锈钢高温阀、压力表、电热合金丝发热体、质子流量计、热电偶、温控装置和保温系统。主要用于对前驱体的加热升华和调控通入反应室的气体流量, 控温温度可以在100-700℃之间自由设定,由K分度号热电偶+精密数显程序控温仪实现升华室温度的自动程序升降,控温精度:±1℃,升华室配置数量为2个。

2、反应室主要包括不锈钢容器、压力表、质子流量计、电热合金丝发热体、热电偶、温控系统、真空系统、保温系统、载物台。控温温度可以在100-900℃之间自由设定,由K分度号热电偶+精密数显程序控温仪实现反应室温度的自动程序升降,控温精度:±1℃,反应室配置数量为1个。

3、气路系统采用∮6×1mm,316L材质不锈钢管实现气体的运输、气体流量的精确控制、减压阀的准确快速切换以及废气的处理。在气体运输过程中,需要对管道进行加热保温处理,防止混合气体在运输过程中发生冷凝,加热系统由K分度号热电偶+智能数显控温仪+电热合金丝发热体实现气路管道的温度控制,控温精度:±1℃。

4、真空系统主要用于控制反应室内压强,保证化学气相沉积反应能在预定的压强下进行实验,真空度:10Pa。

 

CVD化学气相沉积

化学气相沉积反应装置

CVD管式炉

 

 


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